Твердотельный накопитель Samsung MZ1L2960HCJR-00A07

Описание

Характеристики

Форм-фактор

M.2 22110

Интерфейс

PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Ёмкость накопителя, Гбайт

960

Тип памяти

3D TLC

Скорость последовательного чтения, Мбайт/c

5000

Скорость последовательной записи, Мбайт/c

1400

Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS

550000

Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS

60000

Средняя наработка на отказ, ч

2000000

TBW твердотельного накопителя, Тбайт

1752