IGBT модуль FS75R12W2T4
Shipping condition
Description
Specifications
- Auditing
- Not conducted
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
- 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
- 2.15 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C
- 107 A
- Ток утечки затвор-эмиттер
- 100 nA
- Pd — рассеивание мощности
- 375 W
- Минимальная рабочая температура:
- — 40 C
- Максимальная рабочая температура:
- 150°C
Recommendations for you
Permanent offer, piece by piece
IGBT модуль 7MBR75U4R120-50 75А 1200VРоссия, Московская область13 420 ₽Permanent offer, piece by piece
IGBT Модуль 2MBI300P-140-03 Fuji ElectricРоссия, Московская область12 450 ₽







