IGBT модуль FS75R12W2T4
Shipping condition
Description
Specifications
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
- 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
- 2.15 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C
- 107 A
- Ток утечки затвор-эмиттер
- 100 nA
- Pd — рассеивание мощности
- 375 W
- Минимальная рабочая температура:
- — 40 C
- Максимальная рабочая температура:
- 150°C
#D2303006032
Permanent offer, piece by piece
RUB 10,700
Стоимость за
piece RUB 10,700
Компания
Просмотры 0
Кол-во продаж 0
Аудиторская проверка
Дата публикации March 10, 2023
Получение
Москва Изменить