Т
Open a free account with Tochka
Get free voluntary health insurance for three months for yourself or a loved one.
Open accountGet a similar product collection
IGBT модуль FS75R12W2T4
Shipping condition
Description
Specifications
- Auditing
- Not conducted
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
- 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
- 2.15 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C
- 107 A
- Ток утечки затвор-эмиттер
- 100 nA
- Pd — рассеивание мощности
- 375 W
- Минимальная рабочая температура:
- — 40 C
- Максимальная рабочая температура:
- 150°C
#D2303006032
Permanent offer, piece by piece
10 700 ₽
Price per piece 10 700 ₽
Available ∞
Компания
Аудиторская проверка Пройдена
Дата публикации March 10, 2023
Получение
Москва Изменить
Recommendations for you
![Силовой модуль Infineon IGBT FF150R12KS4 150A 1200V фото 1]()
Permanent offer, piece by piece
Силовой модуль Infineon IGBT FF150R12KS4 150A 1200VРоссия, Московская область10 500 ₽![IGBT Модуль 2MBI300P-140-03 Fuji Electric фото 1]()
Permanent offer, piece by piece
IGBT Модуль 2MBI300P-140-03 Fuji ElectricРоссия, Московская область12 450 ₽![Выпрямительный диодный модуль MD100c16d1 фото 1]()
Permanent offer, piece by piece
Выпрямительный диодный модуль MD100c16d1Россия, Московская область9 700 ₽![IGBT модуль Lenze 2102 IBC V001 фото 1]()
