SKIIP32NAB125T12 IGBT Модуль
Shipping condition
Description
Specifications
- Auditing
- Not conducted
- Количество Выводов
- N Канал
- Максимальная Рабочая Температура
- Hex
- Стиль Корпуса Транзистора
- 1200 V
- Рассеиваемая Мощность
- 54 A
- Полярность Транзистора
- EASY2B
- DC Ток Коллектора
- — 40 C
- Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
- + 150 C
Recommendations for you
Permanent offer, piece by piece
IGBT модуль 7MBR75U4R120-50 75А 1200VРоссия, Московская область13 420 ₽Permanent offer, piece by piece
Диодный Модуль Semikron SKD 116/16-L100Россия, Московская область10 290 ₽Permanent offer, piece by piece
Силовой модуль Infineon IGBT FF150R12KS4 150A 1200VРоссия, Московская область10 500 ₽







